FinFET, Fin Field-Effect Transistor

- 뜻풀이

• 트랜지스터의 크기가 미세화될수록 소스와 드레인 간 거리가 가까워져 누설전류가 발생한다. 이를 막기 위해 개발된 입체 구조의 제조 공정 기술로 게이트와 채널이 3면에서 맞닿는다.

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• 에이디테크놀로지, AI(인공지능)와 HPC(고성능컴퓨팅) 향 반도체 개발 플랫폼과 커스텀 라이브러리 기술 선보일 예정
• 아나플래시와 공동으로 28nm 제로 레이어 임베디드 비휘발성 메모리 IP도 예정됨
• 아나플래시 임베디드 비휘발성 메모리 기술, 14 나노 표준 핀펫(FinFET) 로직 공정을 이용함.

 

 

• 삼성전자, 내년 출시 예정인 갤럭시 S25 시리즈에 차세대 모바일 AI '엑시노스 2500'이 탑재될 것
• 시놉시스와 협업해 3nm 공정 기반 모바일 AP 등 SoC 시제품 양산에 성공, GAA 기반 3 나노 공정을 세계 최초로 양산
• TSMC가 양산하는 스냅드래곤 8, 4세대, GAA 트랜지스터가 아닌 FinFET 트랜지스터의  2세대 3 나노 공정 제작 전망

 

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- 연관된 용어

• GAA (Gate-All-Around)

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- 확장개념

• 핀펫을 적용하면 기본 평면 구조의 FET보다 누설 전류는 줄이고 성능을 높일 수 있다.
• 구조가 물고기 지느러미(Fin)를 닮았다고 해서 붙여진 이름이다.

 

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- 함께 보면 더 도움 되는 경제용어

2024.05.30 - [경제 속 기술] - GAA, Gate-All-Around

GAA, Gate-All-Around